



隨著微電子工業(yè)的發(fā)展,超大規(guī)模集成電路制造的硅片尺寸越做越大,要求半導(dǎo)體制造工藝中的氣體品質(zhì)相應(yīng)越來越高,對氣體中雜質(zhì)和露點要求極為嚴(yán)格,需要達(dá)到ppb、ppt級,塵埃粒徑求控制小于0.1~0.05m的微粒,因此對高純氣體的輸送管路系統(tǒng)提出了非常高的要求 。那么高純氣體輸送管路如何避免微粒污染,下面泉州天星氣體就來為大家進行介紹。
氣體管道工程
工藝氣體中的雜質(zhì)( 02、H202、 C02、 C0,等),由于在半導(dǎo)體制造工藝中形成氧化膜而導(dǎo)致質(zhì)量下降。而氣體中含有的微粒,幾乎在半導(dǎo)體制造的整個過程中都有影響。在熱處理工序中,堿金屬微粒使氧化膜和硅的界面特性產(chǎn)生異常,引起耐壓性差或電氣特性劣化 。
另外,在高溫處理中,重金屬微粒向硅的內(nèi)部侵入擴散,誘發(fā)結(jié)晶缺 陷,是導(dǎo)致半導(dǎo)體器件特性裂化的原因。另外,在腐蝕工序中,微粒附著在硅片上,是導(dǎo)致接觸部分和周圍的腐蝕加工精度降低 的原因。因此高純氣體中含塵量比其純度在一定意義上顯得更為重要,控制微粒污染成為高純氣體輸送管路的一個核心 內(nèi)容。微粒污染源來自兩個方面:一 是粘附在管壁上的微粒 ,二是因磨損或腐蝕 等原因管壁產(chǎn)生的微粒。
在配管系統(tǒng)上應(yīng)分段設(shè)置過濾器來去除微粒,通常應(yīng)采用兩級以上的氣體過濾。在潔凈廠房內(nèi)一般設(shè)置預(yù)過濾器和高精度末端氣體過濾器,預(yù)過濾器是設(shè)在潔凈廠房的氣體入口室的氣體干管上,對氣體進行預(yù)過濾,以減輕末端氣體過濾器的負(fù)擔(dān),并延長其使用壽命,高精度末端氣體過濾器應(yīng)設(shè)在鄰近用氣點處。
在系統(tǒng)設(shè)計中,應(yīng)充分考慮系統(tǒng)末端的放散管,各主管和支干管末端的吹掃閥及必要的取樣口,為運行前的吹掃、置換和維修帶來方便,系統(tǒng)中應(yīng)減少不流動氣體的“死空間”,不應(yīng)出現(xiàn)“盲管”等不易吹除的死角,以避免微粒的積聚。
以上就是泉州天星氣體為大家介紹的有關(guān)高純氣體輸送管路如何避免微粒污染的分析,希望可以給大家提供參考。高純氣體的純度是氣體的一個重要的考慮因素,對氣體質(zhì)量有很大的影響,我們應(yīng)該避免微粒的產(chǎn)生。
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